Waferprodukte

Wafer aus Legierung mit abgestimmter Ausdrehnung mit bis zu 12 Zoll Durchmesser als geläppte, polierte oder polierte und metallisierte Wafer mit auf Verbund-Halbleiterwerkstoffe abgestimmter Ausdehnung.

Unsere Legierungs-Wafer werden für folgende Zwecke genutzt:

  • LEDs von mittlerer und hoher Helligkeit
  • Photovoltaikzellen

Üblicherweise werden CE6F- und CE7F-Legierungen ausgewählt, mit denen Saphir-GaAs ersetzt werden.

Vorteile von CE6F-Legierung mit abgestimmter Ausdehnung

  • CTE-Abstimmung auf die Verbund-Halbleiterwerkstoffe
  • Ausgezeichnete thermische und elektrische Eigenschaften
  • Verbesserte Zuverlässigkeit
  • Niedrige Kosten
Typische Spezifikation für 100-mm-Wafer
Werkstoff CE6F
Durchmesser 100 mm +/-0,05 mm
Flach 32 mm +/-0,02 mm
Schräge 220 μ +/-50 μ
Stärke 750 μ +/- 20 μ
TTV <5 μ
Oberfläche Beide Seiten poliert, Ra < 20 nm
Geringes Gewicht < 20 μ
Vergleich der Eigenschaftsdaten bei Substraten mit geringer Ausdehnung
EigenschaftGeSiGaAsSaphirCE6
CTE 25–300 ºC 5,8 3 6,8 5,8 6,2
Diche g/cc 5,32 2,3 5,3 4,0 2,45
E-Modul, GPa 130 112 85 350 130
Wärmeleitfähigkeit, W/mK 64 150 40 35 110
Spezifischer elektrischer Widerstand, μΩ.cm 50 105 107 1014 115
Beschichtbarkeit Gut Schlecht Schlecht Schlecht Gut
Bearbeitbarkeit (CNC/EDM) Schlecht Schlecht Schlecht Schlecht Gut